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2、4、6英寸硅片

TTV、平整度、弯曲度、翘曲度、直径工差、厚度工差、晶向偏离度等参数按照Semi标准执行，如有特殊要求，请来电咨询或与在线客服联系。

本产品规格质量严格按照semi标准执行，均为知名硅片生产大厂提供，按照semi标准（25片/盒）真空密封包装。

优劣势对比，相较于进口硅片，支持国产，性价比高，种类齐全，缺点是受产线工艺影响如果需要特殊规格，起订量较大。

2/4/6英寸硅片IC级硅片电子级硅片半导体硅片(Prime/Test grade)

产品简介： 2/4/6英寸硅片 IC级硅片电子级硅片半导体硅片 (Prime/Test grade) 用途同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、X射线分析晶体、半导体光刻.

用途：同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体、半导体光刻.

产品尺寸：50.8mm/2"/100mm/4"/150mm/6"

表面处理：SSP单面抛光、DSP双面抛光、Lapping双面研磨、SiO₂/EPI/SOI

生长方式：CZ直拉、FZ区熔

厚度：100-1000μm  

掺杂类型：P /硼、N/砷、磷、锑

晶向：<111>/<100>/<110>

电阻率：0.0001-10000(Ω·cm) 

8 英寸硅片抛光片

等级：正片级

长晶方式：CZ

直径：8"

导电类型：P型

掺杂元素：P/硼

晶向：<1-0-0>

电阻率：1-50 ohm-cm

厚度：700-750μm

表面处理：单面抛光