首页 >> 产品中心 >> Silicon substrate

2、4、6英寸硅片

TTV、平整度、弯曲度、翘曲度、直径工差、厚度工差、晶向偏离度等参数按照Semi标准执行,如有特殊要求,请来电咨询或与在线客服联系。

本产品规格质量严格按照semi标准执行,均为知名硅片生产大厂提供,按照semi标准(25片/盒)真空密封包装。

优劣势对比,相较于进口硅片,支持国产,性价比高,种类齐全,缺点是受产线工艺影响如果需要特殊规格,起订量较大。


2/4/6英寸硅片IC级硅片电子级硅片半导体硅片(Prime/Test grade)

产品简介: 2/4/6英寸硅片 IC级硅片电子级硅片半导体硅片 (Prime/Test grade) 用途同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、X射线分析晶体、半导体光刻.

用途:同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体、半导体光刻.

产品尺寸:50.8mm/2"/100mm/4"/150mm/6"

表面处理:SSP单面抛光、DSP双面抛光、Lapping双面研磨、SiO2/EPI/SOI

生长方式:CZ直拉、FZ区熔

厚度:100-1000μm  

掺杂类型:P /硼、N/砷、磷、锑

晶向:<111>/<100>/<110>

电阻率:0.0001-10000(Ω·cm) 


8 英寸硅片抛光片

等级:正片级

长晶方式:CZ

直径:8"

导电类型:P型

掺杂元素:P/硼

晶向:<1-0-0>

电阻率:1-50 ohm-cm

厚度:700-750μm

表面处理:单面抛光