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2、3、4、6英寸砷化镓

产品介绍:

砷化镓(gallium arsenide),化学式GaAs,属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,由砷和镓两种元素化合而成,外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬,是当代国际公认的继"硅(Silicon)"之后最成熟的化合物半导体材料,具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性,是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一。

在光电子工业领域应用层面,砷化镓单晶可被用于制作LD(激光器)、LED(发光二极管)、光电集成电路(OEIC)、光伏器件等;

在微电子工业领域应用层面,可被用于制作MESFET(金属半导体场效应管)、HEMT(高电子迁移率晶体管)、HBT(异质结双极晶体管)、IC、微波二极管、Hall器件等。

主要涉及高端军事电子应用、光纤通信系统、宽带卫星无线通信系统、测试仪器、汽车电子、激光、照明等领域。作为重要的半导体材料,GaAs的电子迁移率为硅和氮化镓的5倍,用于中小功率微波器件具有更低的功率损耗,因此在手机通讯、局域无线网、GPS和汽车雷达等领域中占主导地位。

Undoped GaAs

Semi-Insulating GaAs Specifications

Growth MethodVGF
DopantCarbon
Wafer ShapeRound (DIA: 2", 3", 4", and 6")
Surface Orientation**(100)±0.5°

*5" Wafers available upon request

**Other Orientations maybe available upon request


Resistivity (Ω.cm)≥1 × 107≥1 × 108
Mobility (cm2/V.S)≥ 5,000≥ 4,000
Etch Pitch Density (cm2)1,500-5,0001,500-5,000


Wafer Diameter (mm)50.8±0.376.2±0.3100±0.3150±0.3
Thickness (µm)350±25625±25625±25675±25
TTV [P/P] (µm)≤ 4≤ 4≤ 4≤ 4
TTV [P/E] (µm)≤ 10≤ 10≤ 10≤ 10
WARP (µm)≤ 10≤ 10≤ 10≤ 5
OF (mm)17±122±132.5±1NOTCH
OF / IF (mm)7±112±118±1N/A
Polish*E/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished
Note: Other Specifications maybe available upon request


n- and p-type GaAs

Semi-conducting GaAs Specifications

Growth MethodVGF
DopantSi (n-type) AND Zn (p-type)
Wafer ShapeRound (DIA: 2", 3", 4" and 6")
Surface Orientation*(100)±0.5°

*Other Orientations maybe available upon request


DopantSi (n-type)Zn (p-type)
Carrier Concentration (cm-3)(0.8-4) × 1018(0.5-5) × 1019
Mobility (cm2/V.S.)(1-2.5) × 10350-120
Etch Pitch Density (cm2)100-50003,000-5,000


Wafer Diameter (mm)50.8±0.376.2±0.3100±0.3
Thickness (µm)350±25625±25625±25
TTV [P/P] (µm)≤4≤4≤4
TTV [P/E] (µm)≤ 10≤ 10≤ 10
WARP (µm)≤ 10≤ 10≤ 10
OF (mm)17±122±132.5±1
OF / IF (mm)7±112±118±1
Polish*E/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Note: Other Specifications maybe available upon request