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Ge substrate       询价购买


2、4、6英寸锗片

产品介绍:锗晶片具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3,锗可能性划归稀散金属,锗化学性质稳定,常温下不与空气或水蒸汽作用,但在600~700℃时,很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时,锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中,锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱,但熔融的碱在空气中,能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用,所以在石墨坩埚中熔化,不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质,如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。


n- and p-type Ge

Semi-conducting Ge Specification

Growth MethodVGF
Dopantn-type: As; p-type: Ga
Wafer ShapeRound (DIA: 2" TO 6")
Surface Orientation**(100)±0.5°

**Other Orientations maybe available upon request

DopantAs (n-type)Ga (p-type)
Resistivity 0.05-0.250.005-0.04
Etch Pitch Density (cm2)≤ 300≤ 300


Wafer Diameter (mm)50.8±0.3100±0.3
Thickness (µm)175±25175±25
TTV [P/P] (µm)≤ 15≤ 15
WARP (µm)≤ 25≤ 25
IF* (mm)17±132.5±1
OF (mm)7±118±1
Polish*E/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/G
Backside Ra (µm)***< 0.1< 0.1

*If needed by customer

**E=Etched, P=Polished, G=Ground
***Ra=Average Service Roughness
3" AND 6" wafers available upon request
Note: Other Specifications maybe available upon request