性能参数：

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• 产品型号	GaN-T-C-N-C100
  尺寸	Ф 100 ± 0.1 mm
  厚度	4.5±0.5 µm, 20±2 µm
  晶体取向	C-plane(0001) ± 0.5°
  导电类型	N-type(Si-doped)
  电阻率（300 K）	< 0.05Ω·cm
  载流子浓度	>  1x1018cm-3
  迁移率	~ 200cm2/V•s
  位错密度	Less than 5x108 cm-2(estimated by FWHMs of XRD)
  衬底结构	GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP)
  有效面积	>90%
  包装	Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs or single container , under a nitrogen atmosphere.