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M-Plane蓝宝石基板

主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜,以提高发光效率.通常在蓝宝石基板上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率 会因此降低,发展非极性面GaN外延,克服这一物理现象,使发光效率提高。



A-plane (1120) sapphire waferV-plane (22-43) sapphire wafer
R-plane (1102) sapphire waferN-plane (11-23) sapphire wafer
M-plane (1010) sapphire waferC-axis with a 0.5° ~ 4° off-cut, toward A-axis or M-axis